国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢良治】(以下「産総研」という)スピントロニクス研究センター【研究センター長 湯浅新治】金属スピントロニクスチーム薬師寺啓研究チーム長は、次世代のメモリーデバイスであるスピントルク書込型磁気ランダムアクセスメモリー(STT-MRAM)に用いられる垂直磁化トンネル磁気抵抗(TMR)素子の記憶安定性を従来の2倍に向上させた。

プレスリリースはこちら