国立大学法人 広島大学HiSIM研究センターが、独立行政法人 産業技術総合研究所(以下、産総研という)をはじめとする産・官の協力を得て開発した、トランジスタコンパクトモデル「HiSIM-SOTB(Hiroshima university STARC IGFET Model Silicon-on-Thin BOX)」が、2014年6月20日に米国・ワシントン市で開催されたSilicon Integration Initiative(Si2)、Compact Modeling Coalition(CMC)会議において、約2年にわたる国際標準化活動を経て国際標準モデルに選定され、2014年12月18日に、産業界の利用に耐える標準モデルとして公開されることが決定しました。

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