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独立行政法人理化学研究所・石橋極微デバイス工学研究室

理研シンポジウム
「新材料開発による発光デバイスの新展開」


開催日時：2004年11月5日（金）（10：30～17：20、懇親会あり）
場　　所：理化学研究所、鈴木梅太郎ホール、〒351-0198、埼玉県和光市広沢2-1

主　　催：独立行政法人理化学研究所・コヒーレント科学研究推進グループ、石橋極微デバイス工学研究室
協　　賛：応用物理学会、学振151委員会、学振162委員会、学振125委員会、IEEE EDS Japan Chapter

参加費　：無料
懇親会費：3000円

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理研では「新材料開発による発光デバイスの新展開」と題し公開シンポジウムを開催することになりました。これまで、半導体レーザやLED等の発光デバイスは、新材料の開拓を行うことにより新たな進歩を遂げてきました。特に最近、窒化物半導体、ZnSe系?-?族半導体、GaInNAs系材料、ZnO系材料、FeSi系材料などの新材料系の結晶成長技術の開拓がさかんに行われており、それらを用いることにより、深紫外から青にいたるLDや高出力LED、照明用白色LED、1.3μ帯赤外LD、中赤外量子カスケードレーザなど、新しい発光デバイスの開発が目覚しく行われております。今回の研究会では、名城大学、赤崎先生をご招待し、窒化物半導体開発の歴史と進展について特別講演をいただくとともに、材料、発光デバイスの種類にかかわらず広い領域から、最近トピックとなっている「発光デバイスを目指した新材料の開拓」について取り上げ、その研究の最前線についてご講演いただき議論したいと考えております。興味、関心のある方多くの参加をお待ちしております。
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プログラム

10:30-10:40　「開会の挨拶」　　緑川克美（理研）

10:40-11:20　「鉄シリサイド系材料の開発と赤外発光素子への応用」　末益　崇（筑波大学）

10:20-12:00　「ZnSe系半導体を用いた白色LEDの開発」　中村孝夫（住友電工）

12:00-12:40　「狭ギャップ半導体InAsを用いた量子カスケードレーザーの開発」　大谷啓太、大野英男（東北大学）

12:40-1:40　　昼食

1:40-2:20　　特別講演　「窒化物半導体研究の進展」　赤崎　勇（名城大学）

2:20-3:00　 「GaInNAs系半導体レーザの展望」 　近藤正彦（日立）

3:00-3:40 　 「InAlGaNを用いた紫外高効率LEDの開発」　平山秀樹（理研）

3:40-3:55　　休憩

3:55-4:35　 「InNの真のバンドギャップを求めて」-新しい応用への期待と課題-　 　名西やすし（立命館大学）

4:35-5:15 「酸化物半導体の精密・集積エピタキシーとデバイス開発」 　川崎雅司（東北大学）

5:15-5:20　「閉会の挨拶」　　石橋幸治（理研）

5:30-7:30 懇親会


尚、シンポジウム準備の都合もございますので、10月22日（金）までに下記までご連絡ください。
(下記URLから申し込み案内にアクセスできます。)

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シンポジウムに　　　参加する：　御所属・御氏名・御所属住所・メールアドレス：

懇親会に　　　　　　出席　or　欠席
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お問い合わせ
E-mail: hirayama@riken.jp or megumi@riken.jp
URL: http://www.riken.go.jp/lab-www/adv_device/home.html

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独立行政法人理化学研究所・石橋極微デバイス工学研究室
平山　秀樹
Tel:048-462-1111（Ext.8422）Fax:048-462-4659
E-mail:hirayama@riken.jp
（秘書）小林恵　megumi@riken.jp
〒351-0198　埼玉県和光市広沢2-1
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